| نام تجاری: | DLX |
| شماره مدل: | 1J50 |
| MOQ: | 5 کیلوگرم |
| شرایط پرداخت: | D/A، D/P، T/T، L/C، VTB |
| توانایی تامین: | 1200 تن در ماه |
DLX در ساخت سیم آلیاژ مغناطیسی نرم نیکل-آهن درجه ممتاز 1J50 (FeNi50) تخصص دارد که به طور خاص برای دستگاههای الکترومغناطیسی با راندمان بالا، رلههای دقیق، ترانسفورماتورهای حساس و اجزای سلف فرکانس بالا مهندسی شده است. سیم 1J50 ما با ترکیب بهینه 50% نیکل، نفوذپذیری مغناطیسی اولیه استثنایی، حداکثر چگالی شار مغناطیسی و پسماند مغناطیسی بسیار کم را نشان میدهد. DLX که از طریق ذوب القایی خلاء پیشرفته (VIM) و بازپخت اتمسفر هیدروژن اختصاصی تولید میشود، عملکرد مغناطیسی ثابت و تلرانسهای ابعادی دقیقی را برای تولیدکنندگان جهانی OEM و Tier-1 الکترونیک ارائه میدهد.
![]()
1J50 یک آلیاژ مغناطیسی نرم نیکل-آهن دوتایی است که حاوی تقریباً 49.0% تا 51.5% نیکل با تعادل آهن است. این آلیاژ القای مغناطیسی اشباع بالا (Bs≈1.50–1.60 T) را با نفوذپذیری مغناطیسی برجسته و تلفات هسته کم در میدانهای مغناطیسی متوسط ترکیب میکند.
سیم صنعتی 1J50 ما تحت کنترل متالورژیکی دقیق تولید میشود تا از کربن، گوگرد و ناخالصیهای گازی بسیار کم اطمینان حاصل شود. سیم DLX 1J50 که در حالتهای بازپخت شده روشن، کشیده شده سبک یا نیمه سخت موجود است، انعطافپذیری سیمپیچ برتر، پرداخت سطح صاف و عملکرد بدون نقص را در عملیات سیمپیچ خودکار با سرعت بالا و مونتاژ میکرو رله ارائه میدهد.
![]()
| عنصر | Ni | Fe | Mn | Si | C | P | S | Cu |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| مقدار اسمی (%) | 49.0 - 51.5 | تعادل | 0.30 - 0.60 | 0.15 - 0.30 | ≤ 0.020 | ≤ 0.015 | ≤ 0.010 | ≤ 0.20 |
| پارامتر | مقدار معمول | شرایط تست / فرآیند |
|---|---|---|
| چگالی | 8.25 گرم بر سانتی متر مکعب | دمای اتاق (20 درجه سانتیگراد) |
| دمای کوری (Tc) | 500 درجه سانتیگراد | انتقال فرومغناطیسی |
| مقاومت الکتریکی | ~0.45 میکرو اهم متر | 20 درجه سانتیگراد حالت بازپخت شده |
| مقاومت کششی (Rm) | 450 - 580 مگاپاسکال | کاملاً بازپخت شده (دمای نرم) |
| ازدیاد طول (A100) | ≥ 25% | سیم بازپخت شده |
| سختی | ≤ 140 HV | حالت بازپخت شده |
| ویژگی مغناطیسی | مقدار استاندارد | DLX درجه بالا ارتقا یافته |
|---|---|---|
| نفوذپذیری اولیه (μ0) | ≥25 میلی هانری بر متر | ≥32 میلی هانری بر متر |
| حداکثر نفوذپذیری (μm) | ≥110 میلی هانری بر متر | ≥145 میلی هانری بر متر |
| پسماند مغناطیسی (Hc) | ≤16.0 آمپر بر متر | ≤10.0 آمپر بر متر |
| القای مغناطیسی اشباع (Bs) | ≥1.50 تسلا | ≥1.55 تسلا |
![]()
تعادل بهینه 50% نیکل، یک حلقه هیسترزیس ایدهآل با اشباع مغناطیسی سریع و حداقل مغناطیس پسماند را فراهم میکند و پاسخ در سطح میلیثانیه را در آرمیچرهای رله حساس و سلفهای سوئیچینگ سریع تضمین میکند.
ساختار دانه تصفیه شده که از طریق کشش سرد چند مرحلهای و تخلیه خلاء تمیز به دست میآید، به شدت تلفات جریان گردابی و هیسترزیس را در طول چرخههای الکترومغناطیسی به حداقل میرساند و راندمان انرژی دستگاه را افزایش میدهد.
نظارت آنلاین میکرومتر لیزری، گردی مداوم و دقت سنج را در طول کل سیم تضمین میکند. سطوح صاف، آینهای و بدون نقص از شکست سیم و گیر کردن کویل در طول سیمپیچ خودکار با سرعت بالا جلوگیری میکند.
سیم 1J50 ما با نقطه کوری 500 درجه سانتیگراد و حفظ مغناطیسی پایدار در دماهای عملیاتی متغیر، از خم شدن دقیق، جوشکاری میکرو و کشش عمیق بدون ترک خوردگی سطح یا تخریب مکانیکی پشتیبانی میکند.
![]()
![]()
![]()
![]()
A: 1J50 دارای القای مغناطیسی اشباع بالاتری است (Bs≈1.55 T در مقابل 0.75 T برای 1J85) و میتواند تحت میدانهای مغناطیسی قویتر بدون اشباع زودرس عمل کند. 1J85 نفوذپذیری اولیه و حداکثر بالاتری را در میدانهای بسیار ضعیف ارائه میدهد. 1J50 برای سلفهای قدرت، رلهها و ترانسفورماتورهایی که به چگالی شار مغناطیسی متوسط تا بالا نیاز دارند، ایدهآل است.
A: برای نفوذپذیری مغناطیسی بهینه و حداقل پسماند، قطعات ساخته شده از 1J50 معمولاً نیاز به بازپخت مغناطیسی نهایی در اتمسفر هیدروژن خالص خشک یا خلاء بالا (معمولاً در دمای 1100 درجه سانتیگراد تا 1150 درجه سانتیگراد و سپس خنک شدن کنترل شده) دارند. DLX میتواند سیم نرم بازپخت شده از قبل را برای سیمپیچ سبک عرضه کند یا راهنمایی فنی دقیقی در مورد عملیات حرارتی پس از پردازش ارائه دهد.
A: DLX از مقادیر سفارش انعطافپذیر پشتیبانی میکند که به صورت پویا بر اساس قطرهای سیم، دماها و الزامات قرقره خاص پیکربندی میشوند. محصولات بر روی قرقرههای استاندارد DIN یا کویل شده با بستهبندی ضد اکسیداسیون چند لایه بستهبندی میشوند تا از حمل و نقل ایمن جهانی اطمینان حاصل شود.
A: ما از قالبهای الماس با دقت بالا و سیستمهای اندازهگیری قطر لیزری دو محوره در زمان واقعی در طول کشش ظریف استفاده میکنیم و تلرانسهای قطر را تا ±0.002 میلی متر با گردی یکنواخت در طول قرقرههای اصلی مداوم حفظ میکنیم.
![]()
![]()